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碳化硅SiC MOSFET

SiC MOSFET產品介紹

半導體材料經過幾十年的發展，第一代硅材料半導體已經接近完美晶體，對于硅材料的研究也非常透徹?；诠璨牧仙掀骷脑O計和開發也經過了許多代的結構和工藝優化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體具備優異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。
適用于：新能源汽車、電機驅動、充電樁、風能逆變、光伏逆變、工業電源、PD快充等領域。

SiC MOS芯片實現電壓650V-3300V，電流5A-150A SiC MOS量產供貨。

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最新產品

SIC MOSFET 1200V N-Channel MOSFET DFN10*12
2023/02/11 151
Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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SiC MOSFET ASC100N1200MDS 碳化硅
2022/08/09 560
Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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碳化硅功率模塊SIC mosfet Power module ASC1000N1200MD3 1200V電機控制
2022/02/22 1192
規格參數品牌：AST Model Name：ASC1000N1200MD3 Package：DW3C Voltage：1200V Ron：1.7mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢
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SiC mosfet Power module碳化硅功率模塊ASC600N1200MD3 1200V
2022/02/22 1066
規格參數品牌：AST Model Name：ASC600N1200MD3 Package：DW3C Voltage：1200V Ron：3.3mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢
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碳化硅模塊SIC module ASC300N1200MD3 1200V
2022/02/22 1164
規格參數品牌：AST Model Name：ASC300N1200MD3 Package：DW3C Voltage：1200V Ron：6.7mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢
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碳化硅SIC mosfet Power module模塊ASC800N1200HPD 1200V
2022/02/22 906
規格參數品牌：AST Model Name：ASC600N1200HPD Package：HPD Voltage：1200V Ron：2.5mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢
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企業介紹高投入科技研發-打造智慧企業

深圳市億偉世科技有限公司是第三代半導體功率器件供應商，產品包括碳化硅二極管，碳化硅MOSFET,碳化硅功率模塊等。產品主要應用于新能源汽車OBC，光伏并網逆變器，電力UPS電源，直流充電樁，高頻開關電源，激光電源，礦機電源，等離子切割焊機，電焊機等。
公司在功率器件領域有超過15年的運營銷售經驗，服務了一大批國內著名的電源和新能源類企業。品質可靠，優質服務，客戶第一是我們的一貫追求。
我公司可根據客戶要求定制碳化硅MOS模塊，特殊封裝的碳化硅MOS單管，同時也可根據客戶需求，提供部分碳化硅MOS晶圓。

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